PedagogyStudy

2) В силу связи орфографии со всеми разделами языкознания, имеет большое значение понимание детьми семантики слов, их структурно-семантической близости, так как формирование орфографических умений требует оперирования большим количеством слов.

3) Как показывают специальные наблюдения, орфографические ошибки чаще всего появляются в конце письменной работы. Учитывая этот факт необходимо перед окончанием работы делать небольшой перерыв, который должен снять психофизическую усталость. Например, такие физминутки помогут при снятии психофизического напряжения:

1. «Мы учимся письму.

Для чего? Почему?

Из крючков, из крючков

Из кружков, из кружков

Сможем буквы написать.

Если будем мы стараться,

Буквы будут получаться.

Пальцы наши потрудились

И немножко утомились.

Дружно мы из встряхнем

И опять писать начнем».

2. «Руки положить на парту, голову – на руки. Закрываем глазки – отдыхаем. Посчитаем до десяти, открываем глазки, поднимаем голову, продолжаем работу».

4) Методологическим правилом должно стать внимание к словам, имеющим трудные случаи применения орфографических правил. Его систематическая реализация предупреждает появление орфографических ошибок.

Довольно часто, анализируя ошибки, допущенные детьми в диктантах, учитель обнаруживает «прочие» ошибки: лишний мягкий знак, лишняя буква, пропуск букв и т.д. Наблюдения показывают, что не так уж и «безобидны» эти ошибки. А причин их возникновения довольно много.

Первая причина. Детям так слышится: «Косьтя».

Вторая причина. Дети пишут так, как говорят: «тигор, млыши».

Известно, что легче ошибку предупредить, труднее её исправить. Чтобы легче было предупредить ошибки, учителю надо знать слова, в которых младшие школьники допускают ошибки. Для этого надо внимательнее прислушиваться к тому, как говорят дети.

ЯКУШЕВ Александр Семенович (р . 1947), российский спортсмен, заслуженный мастер спорта (1970). Чемпион Олимпийских игр (1972, 1976), мира, Европы, СССР (неоднократно в 1967-79) по хоккею с шайбой.

ГАННА ЭФФЕКТ , генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой. Ганна эффект связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна. Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний ~0,3-2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях сверхвысокой частоты. Открыт Дж. Ганном в 1963.

ИЗОАНАБАЗЫ , см. Изобазы.